RAM - (ОЗУ) - оперативная память (Random Access Memory). Обычно до или после этого сокращения указывается размер оперативной памяти в Мегабайтах.
Страничная память (англ. page mode DRAM, PM DRAM) - это один из первых типов выпускаемой компьютерной оперативной памяти. Выпускалась такая память в начале 1990-х годов, затем с ростом производительности процессоров и ресурсоёмкости приложений потребовалось увеличивать и объём памяти, и скорость её работы.
Быстрая страничная память (DRAM, FPM DRAM) появилась в 1995 году. Новых изменений память не претерпела, только увеличение скорости работы достиглось путём повышенной нагрузки на аппаратную часть памяти. Этот тип памяти в основном применялся для компьютеров с процессорами Intel 80486 или аналогичных процессоров других фирм.
C появлением процессоров Intel Pentium память FPM DRAM оказалась полностью неэффективной. Потребовалась память с усовершенствованным выходом (DRAM, EDO DRAM). Такая память появилась в 1996 году и стала активно использоваться на компьютерах с процессорами Intel Pentium и выше. Производительность её оказалась на 15 % выше по сравнению с памятью типа FPM DRAM. Рабочая частота была 40 и 50 МГц, а время полного доступа — 60 и 50 нс, время рабочего цикла — 25 и 20 нс.
Но и это был не предел. В связи с выпуском новых процессоров и увеличением частоты системной шины, стабильность работы памяти типа EDO DRAM стала заметно падать. На смену её пришла синхронная память (англ. synchronous DRAM, SDRAM). Стало возможно использование тактового генератора для синхронизации всех сигналов и использование конвейерной обработки информации. Эта память надёжно работала на более высоких частотах системной шины (100 МГц и выше).
С таким типом памяти применялась технология Virtual Channel Memory (VCM). VCM использует архитектуру виртуального канала, позволяющую более гибко и эффективно передавать данные с использованием каналов регистра на чипе. Данная архитектура интегрирована в SDRAM.
Некоторые проблемы с задержкой сигнала, присущие стандартной DRAM-памяти, устранили, встроив небольшое количество SRAM в чип, то есть создав на чипе кеш. ESDRAM — это SDRAM с небольшим количеством SRAM. При малой задержке и пакетной работе достигается частота до 200 МГц. SRAM-кеш предназначен для хранения и выборки наиболее часто используемых данных. Уменьшено временя доступа к данным медленной DRAM. Одним из таких решений стала память ESDRAM от Ramtron International Corporation.
Пакетная память EDO RAM (англ. burst extended data output DRAM, BEDO DRAM) - это дешевая альтернатива памяти типа SDRAM. Основана она на памяти EDO DRAM. Главным стала технология поблочного чтения данных, когда блок данных читался за один такт, что сделало работу быстрее, чем у памяти типа SDRAM. Но всё же невозможность работать на частоте системной шины более 66 МГц не позволила данному типу памяти стать популярным.
Специальный тип оперативной памяти — Video RAM (VRAM) — был разработан на основе памяти типа SDRAM для использования в видеоплатах. Этот тип памяти позволял обеспечить непрерывный поток данных в процессе обновления изображения, что было необходимо для реализации изображений высокого качества. Появилась спецификация памяти типа Windows RAM - WRAM, производительность которой стала на 25 % выше, чем у оригинальной памяти типа SDRAM, благодаря некоторым техническим изменениям.
В памяти SDRAM с удвоенной скоростью передачи данных (англ. double data rate SDRAM, DDR SDRAM или SDRAM II) вдвое увеличена пропускная способность. Первоначально память такого типа применялась в видеоплатах, но затем появилась поддержка DDR SDRAM со стороны чипсетов.
Для преодоления ограничения на скорость работы устройств в некоторых технологических решениях все сигналы стали выполняться на одной шине. Двумя из таких решений являются технологии DRDRAM и SLDRAM, которые получили наибольшую популярность. Стандарт SLDRAM является открытым и, как и SLDRAM - предыдущая технология, он использует оба перепада тактового сигнала. SLDRAM перенимает протокол, названный SynchLink Interface и стремится работать на частоте 400 МГц.
Частота синхронизации лежит в пределах от 100 до 200 МГц, а данные передаются по 2 бита на один синхроимпульс, и по фронту, и по срезу тактового импульса, а эффективная частота передачи данных лежит в пределах от 200 до 400 МГц. Такие модули памяти обозначаются DDR200, DDR266, DDR333, DDR400.
Тип памяти RDRAM - это разработка компании Rambus. Высокое быстродействие этой памяти достигается особенностями, не встречающимися в других типах памяти. Первоначальная стоимость памяти RDRAM была очень высока, и производители
Конструктивно новый тип оперативной памяти DDR2 SDRAM был выпущен в 2004 году. Основываясь на технологии DDR SDRAM, этот тип памяти за счёт технических изменений показывает очень высокое быстродействие и предназначен для использования на современных компьютерах. Память может работать с тактовой частотой шины 200, 266, 333, 337, 400, 533, 575 и 600 МГц. Эффективная частота передачи данных при этом будет соответственно 400, 533, 667, 675, 800, 1066, 1150 и 1200 МГц.
Тип памяти, основанный на технологиях DDR2 SDRAM со вдвое увеличенной частотой передачи данных по шине памяти. Отличается он пониженным энергопотреблением по сравнению с предшественниками. Частота полосы пропускания лежит в пределах от 800 до 2400 МГц (рекорд частоты — более 3000 МГц) и это обеспечивает большую пропускную способность по сравнению со всеми предшественниками.